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SH8J62
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 20V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 30
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 1.0
?
?
?
3.5
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
40
55
60
?
800
120
110
7
15
70
50
8.0
2.5
3.0
? 1
? 2.5
56
77
84
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m Ω
m Ω
m Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 30V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 4.5A, V GS = ? 10V
I D = ? 2.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 2.5A, V GS = ? 4.0V
V DS = ? 10V, I D = ? 4.5A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = ? 2.5A
V DD ? 15V
V GS = ? 10V
R L = 6.0 Ω
R G = 10 Ω
V DD ? 15V
I D = ? 4.5A
V GS = ? 5V
R L = 3.3 Ω / R G = 10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ? C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2.>
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
? 1.2
V
I S = ? 4.5A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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